Senox薄膜电阻传感器

Senox薄膜电阻低温温度传感器与块体或厚膜电阻传感器相比具有显著优势，较小封装尺寸使Senox系列适用于更广泛的实验安装方案中，并可以裸片形式提供。Senox容易安装在设计用于良好传热的封装中，特征热响应时间比块体传感器更快。此外，Senox传感器已被证明在重复热循环和电离辐射下非常稳定，并且磁场误差小，适用于复杂的环境条件。Senox拥有众多的优势特点，是最受用户欢迎的低温传感器系列！

返回列表

联系我们

产品详情

参数：
标准曲线：不适用，每个传感器需要标定后才能使用
推荐激励： 20µV（0.1K至0.5K）；63µV（0.5K至1K）；T>1.2K时小于等于10mV
推荐激励下的损耗：典型10-5W@300K，10-7W@4.2K，10-13W@0.3K（依据型号和温度）
热响应时间：裸片:1.5ms@4.2K，50ms@77K，135ms@273K
SD封装：15ms@4.2K，0.25s@77K，0.8s@273K
用于辐射环境：推荐用于辐射环境
用于磁场环境：推荐在低温磁场中使用。磁阻通常在30K以上可忽略，且不受磁场的取向的显著影响
重复性： ±3mK@4.2K

ꄴ前一个： TVO碳电阻传感器

ꄲ后一个： RUO2氧化钌低温传感器